2024-05-17 14:10:11
槽式清洗设备的工艺参数可以根据不同的设备和应用而有所差异,以下是一些常见的槽式清洗设备工艺参数:
漂洗时间和漂洗次数:在清洗槽清洗之后,通常需要进行漂洗步骤以去除清洗液残留和离子污染。漂洗时间和漂洗次数取决于晶圆的清洗要求和所使用的漂洗液。这些参数可以在设备的控制系统中进行设置和调整。
干燥时间:在清洗后,晶圆通常需要进行干燥步骤,以去除残留的水分。干燥时间取决于晶圆的尺寸、干燥方法和所需的干燥程度。干燥时间可以在设备的控制系统中进行设置和调整。 芯梦槽式清洗设备配备快速调整功能,适应不同使用场景!浙江本地槽式展会
芯片制造需要在无尘室中进行,如果在制造过程中,有沾污现象,将影响芯片上器件的正常功能。沾污杂质是指半导体制造过程中引入的任何危害芯片成品率及电学性能的物质。沾污杂质导致芯片电学失效,导致芯片报废。据估计,80%的芯片电学失效都是由沾污带来的缺陷引起的。通常,无尘室中的沾污杂质分为六类:
颗粒:颗粒是能粘附在硅片表面的小物体,颗粒能引起电路开路或短路。
金属杂质:危害半导体工艺的典型金属杂质是碱金属。
有机物沾污:有机物主要指包含碳的物质
自然氧化层:如果硅片被暴露于室温下的空气或含溶解氧的去离子水中,硅片的表面将被氧化。
抛光残留物:要获得质量好的抛光片,必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。 天津整套槽式展会江苏芯梦为广大客户提供性能优异的高性价比生产槽式清洗设备,助力中国企业升级转型!
半导体清洗指对晶圆表面进行无损伤清洗,用于去除半导体硅片制造、晶圆制造和封装测试每个步骤中可能产生的杂质,避免杂质影响芯片良率和性能。
清洗工艺贯穿整个半导体生产过程:
1)在硅片制造环节,经抛光后的硅片,需要通过清洗工艺保证其表面的平整度和性能,从而提高在后续工艺中的良率。
2)在晶圆制造环节,晶圆经过光刻、刻蚀、沉积等关键工序前后均需要清洗,去除晶圆沾染的化学杂质,减小缺陷率。
3)在芯片封装阶段,芯片需要根据封装工艺进行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸点底层金属/薄膜再分布技术)清洗。
芯梦槽式湿法设备用于批式晶圆湿法清洗、刻蚀、光刻胶去除等工艺,提供多个槽体进行化学药液或纯水,结合热浸、喷淋、溢流、快速冲洗等清洗方式,配合先进的IPA干燥方式,可同时对25或50片晶圆进行工艺处理,可广泛应用于集成电路制造领域。
主要优势
小尺寸,高产能
先进的IPA干燥方式
工序可灵活编辑
无盒式(No-Cassette)50片晶圆批次处理
节能减排,降低成本
特征规格
配备先进的IPA干燥槽
配备稳定的晶圆传输系统
模块化设计,可客制化组合选配
可选配一体式清洗模块(多种化学药水与纯水在同一槽中进行工艺)
可选配兆声波清洗 芯梦制造的槽式清洗设备采用品质材料,使用寿命长,是你的长久伙伴!
芯片制造的重要环节,物理辅助方法是工艺难点。半导体清洗对于芯片制造意义重大,如果清洗不达要求,残留的沾污杂质将导致芯片失效。半导体清洗贯穿硅片制造、晶圆制造、封装三大环节。半导体清洗方法分为湿法清洗和干法清洗,目前湿法清洗占据90%以上的份额。湿法清洗可选用化学药液清洗,同时辅以物理方法辅助,如洗刷器、超/兆声波、旋转喷淋、二流体等方法。清洗过程中,化学药液基本相同,辅助方法往往成为不同工艺的主要差别,也成为半导体清洗工艺的主要难点。江苏芯梦槽式清洗设备操作界面友好,易学易用,提升生产效率!江西集成电路槽式展会
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槽式清洗机是将晶圆放在花篮中,再利用机械手依次将其通过不同的化学试剂槽进行清洗,槽内装有酸碱等化学液,一次可以同时清洗一个花篮(25片)或两个花篮(50片晶圆),此类清洗机清洗效率较高、成本较低,缺点是清洗的晶圆之间会存在交叉污染和前批次污染后批次。
槽式清洗机主要由耐腐蚀机架、酸槽、水槽、干燥槽、控制单元、排风单元以及气体和液体管路单元等几大部分构成。
在过去的30年中,标准晶圆清洗中使用的化学成分基本保持不变。它基于使用酸性过氧化氢和氢氧化铵溶液的RCA清洁工艺。虽然这是业界仍在使用的主要方法,很多晶圆厂使用的新的清洗工艺有以臭氧清洗和兆声波清洗系统在内的新的优化清洗技术。 浙江本地槽式展会